南京百识工艺技术全部来自公司自主开发，核心团队掌握了国内领先的第三代半导体碳化硅/氮化镓外延片技术，拥有该行业的核心竞争力。公司于2020年成立了技术研发中心，组织了一批专业的研发团队对项目实施科技创新与技术攻关。

公司拥有1000平米的10级无尘研发制造中心，配备高端研发测试设备，在产品质量上，公司能够在外延规格书上提供坑洞指标（坑洞指标和沟槽式MOS质量直接相关），6英寸碳化硅外延片SBD级投片良率高达98%-99%；6英寸碳化硅外延片MOSFET级投片良率高达90% ，是市场上少数具备可提供高质量3300V、6500V耐压的外延片量产供货厂商。

国内急缺能够稳定高质量产出的外延厂商，南京百识品线齐全，覆盖SiC功率、GaN功率、GaN射频外延片，外延产品均一性、 良率优于竞争对手。产品已经通过大量客户验证，SiC-MOSFET外延片目前大厂稳定出货中，项目进入爆发期。南京百识是市场上少数可提供高质量3300V以上耐压的外延片量产供货厂商，具备开拓超高应用市场能力。